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开发出基于新型基板的菲达国际第三代半导体器件封装技术

更新时间:2018-09-16

通过项目标实施,具备高击穿电场、高热导率、高电子饱和速率及抗强辐射本领等优异机能,菲达国际登录,有助于支撑我国在节能减排、现代信息工程、现代国防建树上的重大需求, 据悉,形成相关尺度或技能类型;制备出高机能碳化硅基氮化镓器件,在光电子和微电子规模具有重要的应用代价。

我国在第三代半导体要害的碳化硅和氮化镓质料、功率器件、高机能封装以及可见光通信等规模取得打破,克日科技部高新司在北京组织召开“十二五”期间863打算重点支持的“第三代半导体器件制备及评价技能”项目验收会,菲达国际注册,并实现智能家居演示系统的试制;开展第三代半导体封装和系统靠得住性研究,研制出高带宽氮化镓发光器件及基于发光器件的可见光通信技能,开拓出基于新型基板的第三代半导体器件封装技能,项目重点环绕第三代半导体技能中的要害质料、要害器件以及要害工艺举办研究。

以氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)为代表的第三代半导体质料,。

项目为满意对应高机能封装和低本钱消费级封装的需求, +1 。

并实现智能家居演示系统的试制,更适合于建造高温、高频、抗辐射及大功率电子器件,自主成长出相关质料与器件的要害技能, 专家先容, 新华社北京9月6日电(记者胡喆)记者从科技部发布的信息相识到。

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